基于硅衬底GaN基激光器的光子集成芯片
- 成果编号
- 21041
- 完成单位
- 南京邮电大学
- 完成时间
- 2018年
- 成熟程度
- 研制阶段
- 价格
- 面议
- 服务产业领域
- 电子信息
- 单位类别
- 其他高校
| 科技计划 | 成果形式 |
|---|---|
|
国家级：国家重点研发计划“政府间国际科技创新合作”专项 |
新技术 |
| 合作方式 | 参加活动 |
技术开发 |
2019年宁镇高校院所走进镇江高新区科技合作对接会 驻苏高校院所苏北五市产学研合作对接活动 第七届中国江苏产学研合作大会 |
| 专利情况 | |
正在申请 ,其中:发明专利 0 项 |
| 综合介绍 |
|---|
目前，采用AlN/AlGaN应力调控缓冲层技术，采用AlGaN作为GaN波导的包覆层，可以在硅衬底上生长沉积高质量的GaN基波导结构，InGaN/GaN MQW嵌在GaN波导层中。这种材料结构不仅可以借助大尺寸、低成本硅晶圆及其自动化工艺线来大幅度降低GaN基器件的制造成本，还为激光器等光电子器件与硅基电子器件的系统集成提供一种新的技术路线。基于具有GaN波导结构的硅衬底GaN晶圆，本团队研发了单步刻蚀技术，制备出面向可见光通信的方向耦合器。 |
| 创新要点 |
* |
| 技术指标 |
* |
| 其他说明 |
| 姓名 | 对接成功后可查看 | 所在部门 | 对接成功后可查看 |
|---|---|---|---|
| 职务 | 对接成功后可查看 | 职称 | 对接成功后可查看 |
| 手机 | 对接成功后可查看 | 对接成功后可查看 | |
| 电话 | 对接成功后可查看 | 传真 | 对接成功后可查看 |
| 邮编 | 对接成功后可查看 | 通讯地址 | 对接成功后可查看 |
| 姓名 | 对接成功后可查看 | 所在部门 | 对接成功后可查看 |
|---|---|---|---|
| 职务 | 对接成功后可查看 | 职称 | 对接成功后可查看 |
| 手机 | 对接成功后可查看 | 对接成功后可查看 | |
| 电话 | 对接成功后可查看 | 传真 | 对接成功后可查看 |
| 邮编 | 对接成功后可查看 | 通讯地址 | 对接成功后可查看 |
