高性能氮化物薄膜LED器件
- 成果编号
- 10185
- 完成单位
- 南京邮电大学
- 完成时间
- 2015年
- 成熟程度
- 试生产阶段
- 价格
- 面议
- 服务产业领域
- 电子信息
- 单位类别
- 其他高校
| 科技计划 | 成果形式 |
|---|---|
| 新技术、新工艺、新产品 | |
| 合作方式 | 参加活动 |
技术转让、技术开发、技术咨询、技术服务、技术入股 |
|
| 专利情况 | |
正在申请 ,其中:发明专利 15 项 |
| 综合介绍 |
|---|
面向可见光无线通信及传感的高性能硅基氮化物薄膜LED器件 |
| 创新要点 |
课题基于硅衬底氮化物晶片，开发了硅衬底剥离和悬空氮化物薄膜背后减薄技术，实现了悬空氮化物薄膜LED光源。图1为课题设计研发的高性能氮化物薄膜LED器件。悬空氮化物薄膜LED器件能够消除硅衬底吸收，减少厚膜的光损耗，通过降低阻抗和结电容，提升器件的光电性能。研究结果发现，LED器件的出光效率、电学特性、响应速率和薄膜厚度密切相关，通过背后减薄，可以获得高性能的氮化物薄膜LED光源。 |
| 技术指标 |
薄膜LED厚度控制在1微米之内 |
| 其他说明 |
| 姓名 | 对接成功后可查看 | 所在部门 | 对接成功后可查看 |
|---|---|---|---|
| 职务 | 对接成功后可查看 | 职称 | 对接成功后可查看 |
| 手机 | 对接成功后可查看 | 对接成功后可查看 | |
| 电话 | 对接成功后可查看 | 传真 | 对接成功后可查看 |
| 邮编 | 对接成功后可查看 | 通讯地址 | 对接成功后可查看 |
| 姓名 | 对接成功后可查看 | 所在部门 | 对接成功后可查看 |
|---|---|---|---|
| 职务 | 对接成功后可查看 | 职称 | 对接成功后可查看 |
| 手机 | 对接成功后可查看 | 对接成功后可查看 | |
| 电话 | 对接成功后可查看 | 传真 | 对接成功后可查看 |
| 邮编 | 对接成功后可查看 | 通讯地址 | 对接成功后可查看 |
