3300V IGBT芯片和模块
- 成果编号
- 30785
- 完成单位
- 国家电网有限公司
- 完成时间
- 未填写
- 成熟程度
- 小批量生产阶段
- 价格
- 面议
- 服务产业领域
- 电子信息
- 单位类别
- 企业
| 科技计划 | 成果形式 |
|---|---|
| 新技术 | |
| 合作方式 | 参加活动 |
技术转让 |
|
| 专利情况 | |
未申请专利 |
| 综合介绍 |
|---|
产品为高压大功率IGBT芯片/模块系列化产品，IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，在智能电网、新能源发电、轨道交通、电动汽车、消费类电子、工业控制、国防军工等领域应用极为广泛。高压IGBT将主要用于灵活交流输电、高压直流断路器、柔性直流输电等产品。 通过产品的规模产业化，打破国外垄断，实现高压IGBT器件在智能电网的国产化替代，推动经济社会发展，保障电网安全。 |
| 创新要点 |
| 技术指标 |
1．阈值电压Vth(V)—器件开始导通的门极电压：5～7V 2．集电极-发射极饱和电压Vce(sat)（V）—器件的导通压降：3.7V 3．集电极-发射极漏电流最大值Ices（mA）—器件的漏电流：40mA 4．开通损耗Eon（mJ）-器件的开通损耗：4.5J 5．关断损耗Eoff（mJ）—器件的关断损耗：2.2J |
| 其他说明 |
| 姓名 | 对接成功后可查看 | 所在部门 | 对接成功后可查看 |
|---|---|---|---|
| 职务 | 对接成功后可查看 | 职称 | 对接成功后可查看 |
| 手机 | 对接成功后可查看 | 对接成功后可查看 | |
| 电话 | 对接成功后可查看 | 传真 | 对接成功后可查看 |
| 邮编 | 对接成功后可查看 | 通讯地址 | 对接成功后可查看 |
| 姓名 | 对接成功后可查看 | 所在部门 | 对接成功后可查看 |
|---|---|---|---|
| 职务 | 对接成功后可查看 | 职称 | 对接成功后可查看 |
| 手机 | 对接成功后可查看 | 对接成功后可查看 | |
| 电话 | 对接成功后可查看 | 传真 | 对接成功后可查看 |
| 邮编 | 对接成功后可查看 | 通讯地址 | 对接成功后可查看 |
