1200V SiC MOSFET器件

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综合介绍
1200V SiC MOSFET系列产品导通电阻覆盖25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ，封装外形为TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TO-258等，聚焦于光伏逆变器、充电桩、开关电源、UPS、电机驱动器、储能、车载电源、汽车DC-DC等应用，在军用武器装备系统、导弹、火箭电气设备系统等也有广泛应用。芯片工艺技术上，基于自主6英寸晶圆线，采用已经得到广泛应用验证的Planner工艺，满足应用鲁棒性要求，器件可靠、强固。55所是国内首家实现SiC MOSFET产品研制和批量生产的企业，达到国内外广泛应用的主流SiC MOSFET技术水平，填补了国内空白。采用SiC MOSFET器件的电路，通过提升开关频率，将显著无源器件、散热器的体积和数量，从而减少物料单(BOM)成分以及增加功率密度。
创新要点

技术指标
1．击穿电压—器件阻断状态下能够承受的最大电压：1200V 2．阈值电压—栅压大于阈值电压器件开通，低于阈值电压器件关断：2.6V 3．导通电阻—工作栅压下，器件达到额定电流时的导通电阻：25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ
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