技术开发

未申请专利

由浙大苏工院电力电子器件研究中心领衔研制，负责人盛况教授是“江苏省双创人才”，“苏州市姑苏创业领军人才”，科技部863主题专家、国家万人计划首批领军人才、教育部长江学者、浙江大学特聘教授、电力电子应用国家工程中心副主任、博士生导师，带领团队开展硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项，在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ•cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。                   和国内外著名企业开展合作推进成果的产业化，合作企业包括国家电网、中车、中电集团、华为、华润微电子、台达、德国英飞凌、美国福特等公司，实现了碳化硅和硅基电力电子芯片的产业化。相关的成果在国际顶级学术期刊及会议发表论文270余篇，引用次数2700次以上，获授权专利20余项（40余项申请中），2010年获浙江省自然科学二等奖，2019年获国家技术发明二等奖。

目前以下一代的碳化硅电力电子器件的研发和产业化为目标，现已建成了集器件设计、工艺研发、芯片中试、芯片封装和产品测试等一整套的碳化硅电力电子器件研发平台，下属衍生产业化公司三家，注册资本达到1000万元以上。中心在江苏医疗器械产业园五号楼建成了1000平方米的电力电子器件超净实验室，该超净实验室是国内首条碳化硅电力电子芯片中试线，也是国家发改委下属电力电子应用国家工程研究中心的器件分中心。在研发方面，团队攻克了碳化硅电力电子芯片的关键工艺，掌握了碳化硅二极管和结型场效应开关管芯片的全套工艺，自主研制出了600V~6000V碳化硅肖特基二极管芯片和1200V~4500V碳化硅结型场效应开关管芯片，技术水平达到国内领先，以上成果得到科技部高新司领导的关注和国内同行专家的关注和认可。以上碳化硅电力电子器件产品在智能电网、新能源并网系统、轨道交通、电动汽车、工业电机及各种变频电器等众多领域拥有巨大的技术优势和市场前景。

展品名称：氧化镓单晶衬底
长宽高（cm）：长：20cm 宽：7cm 高：7cm
运输或安装演示方面的特殊要求：无