技术转让、技术服务、技术入股

正在申请 ,其中:发明专利 300 项
已授权专利,其中:发明专利 3 项
专利号: 201310146699.8
专利号: 201210039497.9
专利号: 201210249700.5

                                                

我国有机光电子学科的开拓者和奠基人中国科学院黄维院士，率领团队从90年代初开始致力于有机半导体的研究，先后研发出多种性能指标达到国际先进水平发光材料，为商业化打下了坚实的基础。自主研发的深蓝荧光芴基材料，器件外量子效率可达10.7%，色坐标CIE为（0.15，0.09），与国际上由Idemitsu开发得的最好蓝光材料相媲美。研发的深蓝光材料DSFX-Py大幅度地提高了有机电致蓝光材料的热学、电学和光谱稳定性。

利用团队在OLED领域20多年的研发和产业积累，开发了数十种高效、稳定的OLED电致发光材料和OLED照明/显示器件，性能已达国际先进水平。针对OLED显示技术世界性难题——蓝光半导体材料的色纯度和光谱稳定性问题，我们自主研发了深蓝荧光材料。现在商业化产品所使用的蓝光发光材料效率最高的由两家开发，一是日本Idemitsu所开发，一是方圆团队所开发，两者的外量子效率均可达10.7%。但方圆团队开发的蓝光材料颜色更蓝，色坐标CIE为（0.15，0.09），而Idemitsu的蓝光仅为（0.14，0.12）。蓝色越深，在OLED显示与照明上技术应用越广泛，效果越好。而且，方圆团队开发的材料在10000 cd/m2的高亮度工作条件（注入电流强度高达130 mA/cm2）下，色坐标保持不变，而且效率仍高达8.9%（已经申请的相关专利：WO2008069756；相关的研究论文：Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 699-707和Adv. Mater. 2009, 21, 2425-2429）。这种材料已实现低成本、公斤级量产。

（1）	高效率、长寿命。深蓝荧光芴基材料，器件外量子效率可达10.7%，色坐标CIE为（0.15，0.09），在10000 cd/m2的高亮度工作条件（注入电流强度高达130 mA/cm2）下，色坐标保持不变，而且效率仍高达8.9%（已经申请的相关专利：WO2008069756；相关的研究论文：Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 699-707和Adv. Mater. 2009, 21, 2425-2429）。与国际上由Idemitsu开发得的最好蓝光材料相媲美。
（2）	成本低。自主研发的深蓝光材料DSFX-TFB制备的蓝光器件ITO/MoOx(2 nm)/ m-MTDATA (20nm)/ NPB (10 nm)/DSFX-TFB (30 nm)/Bphen(40 nm)/LiF(1 nm)/Al，发光亮度为8000 cdm-2时仍具有优异的CIE色坐标常数（0.15, 0.07），与NTSC标准的标准蓝光要求的CIE常数（0.14, 0.08）是十分接近的，是一类非常有应用前景的蓝光材料。