技术开发

未申请专利

以掺锡氧化铟（ITO）薄膜为代表的透明导电薄膜是平面显示、触控面板及光伏电池等光电子器件必需的关键组件。但ITO由于铟资源短缺、薄膜延展性不足，无法满足未来市场的扩张和柔性电子技术的发展需求。因此，开发替代ITO的无铟透明导电薄膜已成为光电器件领域亟需解决的瓶颈问题，对于保障社会经济的可持续发展，维护国家能源安全具有重大战略意义。目前被认为最具发展潜力的ITO替代材料为银纳米线等金属纳米线材料，三星、LG和索尼等公司已有相应触摸屏样品展出。但金属纳米线材料仍存在导电性、粗糙度、均匀性和易氧化性等突出问题，限制了其规模生产与应用。 本项目针对金属纳米线存在的瓶颈问题，研制出高品质银、铜纳米线、抗氧化性铜-镍纳米线、银纳米线/石墨烯复合材料等高性能透明导电薄膜，拥有3项自主知识产权专利技术。

（1）大尺寸石墨烯薄膜制备技术 自主研制石墨烯化学气相沉积装置。掌握大尺寸石墨烯制备技术，实现技术指标如下： （a）尺寸：15 cm×15 cm （b）层数：1-3层可控生长 （c）单层透光度：96-97% （d）单层方阻：250-300 W/sq （2）银、铜纳米线制备技术 已掌握了银、铜纳米线的合成技术，尤其在银纳米线控制合成方面，目前已取得了丰富的研究积累，下图展示的是项目组可控制合成90、40和25 nm银纳米线的扫描电镜图片。如对典型的几种银纳米线，目前技术积累已具备了进行中试生产的条件。 （3）金属纳米线/石墨烯复合薄膜技术 综合金属纳米线的优异导电性和石墨烯的面导电特点，研制出银纳米线/石墨烯复合透明导电薄膜。参数如下： （a）尺寸：10 cm×10 cm （b）透光度：80-90% （c）单层方阻：10-40 W/sq