深紫外LED芯片与光源技术
- 成果编号
- 02027
- 完成单位
- 中国科学院半导体研究所
- 完成时间
- 2012年
- 成熟程度
- 小批量生产阶段
- 价格
- 面议
- 单位类别
- 中国科学院系统院所
| 科技计划 | 成果形式 |
|---|---|
| 新产品 | |
| 合作方式 | 参加活动 |
技术服务 |
|
| 专利情况 | |
正在申请 ,其中:发明专利 12 项 |
| 综合介绍 |
|---|
该项目获国家863计划支持，突破掌握了深紫外LED（发光波长短于300nm）的核心材料外延和芯片制备技术，已申请发明专利12项，获授权发明专利 3项。 |
| 创新要点 |
深紫外LED的关键技术包括高Al组分氮化物材料的MOCVD外延生长技术、深紫外LED的芯片工艺技术和集成封装技术等，核心高Al组分外延材料和深紫外LED器件性能指标达到国际先进、国内领先水平。 |
| 技术指标 |
研制出的深紫外LED器件在20mA驱动电流下室温连续输出功率超过3mW。 |
| 其他说明 |
深紫外LED在杀菌消毒、医疗卫生、生物探测、安全通讯、白光照明等诸多领域有着广阔的市场前景，潜在市场规模可达数十亿美元。 |
| 姓名 | 对接成功后可查看 | 所在部门 | 对接成功后可查看 |
|---|---|---|---|
| 职务 | 对接成功后可查看 | 职称 | 对接成功后可查看 |
| 手机 | 对接成功后可查看 | 对接成功后可查看 | |
| 电话 | 对接成功后可查看 | 传真 | 对接成功后可查看 |
| 邮编 | 对接成功后可查看 | 通讯地址 | 对接成功后可查看 |
| 姓名 | 对接成功后可查看 | 所在部门 | 对接成功后可查看 |
|---|---|---|---|
| 职务 | 对接成功后可查看 | 职称 | 对接成功后可查看 |
| 手机 | 对接成功后可查看 | 对接成功后可查看 | |
| 电话 | 对接成功后可查看 | 传真 | 对接成功后可查看 |
| 邮编 | 对接成功后可查看 | 通讯地址 | 对接成功后可查看 |
| 序号 | 文件名称 |
|---|---|
| 1 | 科技成果登记表简介.doc |
